Известно, что параметры многих электронных устройств улучшаются при понижении температуры. Также известна проблема перегрева электронов в наноэлектронных устройствах, работающих при низких температурах. Однако её решение представляет собой сложную технологическую задачу вследствие недостаточного теплового контакта между электронами и внешним холодным термодинамическим окружением.
В экспериментах, проводимых группой ученых с участием докладчика, напрямую измерялась температура электронов с помощью цепочки туннельных переходов малой площади, оптимизированной для работы ниже 10 мК. Такой датчик температуры является первичным по своему принципу поскольку не требует начальной калибровки.
При погружении термометра в смесь 3He/4He рефрижератора растворения удалось достичь рекордно низкой температуры электронов 3.7 мК. Эту температуру удалось понизить до 1.1 мК, впервые применяя метод ядерного размагничивания на чипе. Продемонстрированный метод охлаждения электронов открывает путь для измерения наноэлектронных устройств при субмилликельвиновых температурах. В докладе будут представлены данные последних экспериментов в Ланкастере.