Влияние некогерентной накачки на запутанность фотонов в процессе параметрического рассеяния

Quantum Technology Centre seminar
Speaker(s)
Степан Винцкевич
Affiliation
Лаборатория квантовой теории информации МФТИ
Date and time
Venue
Small Conference Hall (MSU Research Equipment Sharing Center)
Abstract

Как хорошо известно, облучение (накачка) нелинейного кристалла с помощью интенсивного лазерного излучения приводит к генерации фотонов в двух модах (сигнальной и холостой). Кантованное электромагнитное поле в этих модах можно описывать с помощью состояния зависящего от непрерывных переменных, которое является запутанным, если поле накачки находится в когерентном состоянии. Сигнальная и холостая моды остаются населёнными фотонами, даже если накачка становится некогерентной в результате дефазировки в среде, смешивания с тепловым состоянием, в случае отличного от когерентного лазерного источника (суперлюминесцентный диод). Тем не менее некогерентность накачки влияет на запутанность и чистоту состояния фотонов в сигнальной и холостой модах, что важно для применений в квантовой информатике и интерферометрии. В работе C.В. Винцкевича, Д.А. Григорьева и С.Н. Филиппова, легшей в основу доклада, предлагается подход, позволяющий рассчитывать меры чистоты и запутанности фотонов в общем случае некогерентной квантованной накачки, описываемой функцией Глаубера-Сударшана. Продемонстрировано, что мера запутанности фотонов крайне чувствительна к распределению накачки в фазовом пространстве. В качестве примера рассматриваются физические модели излучения накачки, которые могут использоваться на практике: когерентная накачка с шумом, дефазированная накачка, тепловая, модулированная накачка в среде Керра и т.д.

Seminar language
Russian
Presentation file