Способ модуляции интенсивности электромагнитного излучения с помощью магнитоплазмонного кристалла

Изобретение относится к оптике, а именно к способам модуляции интенсивности света оптического и ближнего ИК диапазонов. Изобретение может быть использовано в прикладной магнитооптике, в оптоэлектронике, фотонике, а также в сенсорной технике. Способ модуляции интенсивности прошедшего или отраженного электромагнитного излучения с помощью магнитоплазмонного кристалла включает в себя создание двумерного магнитоплазмонного кристалла, состоящего из прозрачной диэлектрической подложки, двумерного массива частиц из благородного металла с субволновыми размерами, погруженного в тонкий диэлектрический магнитный слой толщиной не меньше размера частиц; освещение магнитоплазмонного кристалла ТМ-поляризованным электромагнитным излучением при приложении магнитного поля в геометрии экваториального магнитооптического эффекта Керра. Технический результат - модуляция интенсивности прошедшего и отраженного оптического излучения с помощью структуры с размерами меньше, чем длина волны используемого излучения.