Способ изготовления элементов с наноструктурами для локальных зондовых систем

Тип
Изобретение
Идентификатор
RU2619811
Автор(ы)
Д.Е. Преснов, И.В. Божьев, В.А. Крупенин, О.В. Снигирев
Реферат
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для изготовления функциональных элементов наноэлектроники. Техническим результатом является возможность совмещения острия зонда с выполняемой на нем наноструктурой на предопределенных расстояниях 0-50 нм от оконечности острия. Способ изготовления элементов с наноструктурами для локальных зондовых систем включает нанесение на подложку из монокристаллического кремния с ориентацией {100}, по меньшей мере, одного слоя маскирующего покрытия, в котором формируют рисунок шаблона с выделением, по меньшей мере, трех областей, размещенных по взаимно перпендикулярным осям, совпадающим с двумя перпендикулярными кристаллографическими осями <110> подложки, задающих направление разлома подложки на соответствующее количество элементов и образующих на поверхности маскирующего покрытия каждого элемента вблизи точки пересечения указанных осей площадки для размещения наноструктуры, проведение жидкостного травления подложки через сформированный в маскирующем покрытии рисунок шаблона до проявления фигур травления в теле подложки в форме треугольных канавок, образованных пересечением плоскостей {111} подложки, формирование наноструктур на упомянутых площадках литографическими методами и разделение подложки на указанные элементы по линиям, образованным канавками.
Дата начала отчёта срока действия патента

Способ генерации пространственных состояний Белла

Тип
Изобретение
Идентификатор
RU2554615
Автор(ы)
С.П. Кулик, С.С. Страупе
Реферат
Изобретение относится к области управления интенсивностью, цветом, фазой, поляризацией или направлением света. Сущность способа состоит в том, что угловой спектр генерируемого оптического двухфотонного излучения меняют в зависимости от пространственного профиля изменения интенсивности лазерной накачки. Предлагаемый способ позволяет генерировать максимально перепутанные состояния Белла пар фотонов в двумерном подпространстве параксиальных мод с единичной четностью. Ключевой особенностью метода является использование лазерной накачки в высших пространственных модах в режиме жесткой фокусировки. Технически, метод основан на адаптивной подстройке фазового фронта лазерной накачки с помощью активного пространственного фазового модулятора света. Этот подстроенный фронт за счет условий фазового синхронизма в нелинейном кристалле генерирует форму амплитуды бифотона соответствующей пространственному состоянию Белла.
Дата начала отчёта срока действия патента

Способ магнитооптической модуляции света с использованием поверхностных плазмонов

Тип
Изобретение
Идентификатор
RU2548046
Автор(ы)
А.А. Грунин, А.В. Четвертухин, М.И. Шарипова, Т.В. Долгова, А.А. Федянин
Реферат
Изобретение относится к области физики, в частности к методикам модуляции интенсивности электромагнитного излучения видимого и ближнего ИК диапазонов посредством приложения магнитного поля. Способ модуляции света включает в себя создание магнитоплазмонного кристалла на основе периодически наноструктурированной диэлектрической матрицы, с пространственным периодом d, последующее напыление на нее слоев ферромагнитных и благородных металлов, а также диэлектриков, освещение магнитоплазмонного кристалла светом и приложение магнитного поля. Модуляция интенсивности ТМ-поляризованного отраженного света осуществляется с помощью периодически наноструктурированной пленки ферромагнитного металла толщиной h=50-200 нм. В качестве источника света используется ТМ-поляризованное электромагнитное излучение, падающее на поверхность магнитоплазмонного кристалла под углом, соответствующим возбуждению поверхностных плазмон-поляритонов. При этом переменное магнитное поле прикладывается в геометрии экваториального магнитооптического эффекта Керра. Технический результат - уменьшение толщины магнитооптического модулятора.
Дата начала отчёта срока действия патента

СВЧ-усилитель на основе высокотемпературного сквида с четырьмя джозефсоновскими контактами

Тип
Изобретение
Идентификатор
RU2544275
Автор(ы)
Соловьев И.И., Корнев В.К., Кленов Н.В., Шарафиев А.В., Калабухов А.С., Чухаркин М.Л., Снигирев О.В.
Реферат
Изобретение направлено на повышение линейности усиления в гигагерцовом диапазоне частот без использования цепей обратной связи. СВЧ-усилитель на основе высокотемпературного СКВИДа включает идентичные и параллельно соединенные первый и второй джозефсоновские контакты, образованные в слое высокотемпературного сверхпроводника (ВТСП) и размещенные вдоль бикристаллической границы подложки, и входной индуктивный элемент, включенный между смежными токоподводами джозефсоновских контактов. Дополнительно введены третий и четвертый джозефсоновские контакты, причем критический ток первого, второго джозефсоновских контактов совпадает, третьего - меньше этой величины, а четвертого контакта - превышает эту величину. Слой ВТСП имеет форму дорожки, которая дважды пересекает бикристаллическую границу и образует замкнутый контур с упомянутым индуктивным элементом, расположенным по одну сторону бикристаллической границы. Третий и четвертый джозефсоновские контакты размещены в местах пересечений упомянутой дорожки с бикристаллической границей, а ширина дорожки в месте размещения четвертого контакта превышает одноименную для третьего контакта.
Дата начала отчёта срока действия патента

Зонд на основе полевого транзистора с наноразмерным каналом

Тип
Изобретение
Идентификатор
RU2539677
Автор(ы)
Соловьев И.И., Девятов И.А., Крупенин В.А., Преснов Д.Е., Трифонов А.С., Амитонов С.В., Крутицкий П.А., Колыбасова В.В.
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике, представляет собой зонд на основе полевого транзистора с наноразмерным каналом и может быть использовано при определении физико-химических и электрических параметров наноразмерных объектов физической, химической и биологической природы. Зонд включает наноразмерный чувствительный элемент, размещенный на острие и образующий канал транзистора, электроды, размещенные по одну сторону от острия, связанные с чувствительным элементом и выполняющие функции стока и истока транзистора. Чувствительный элемент выполнен в тонкопленочной структуре кремний-на-изоляторе, образованной на подложке. Слой кремния имеет градиентно изменяющуюся концентрацию легирующей примеси и выполнен так, что со стороны свободной поверхности, по меньшей мере на половине толщины, обладает металлической, а на оставшейся толщине до слоя изолятора - полупроводниковой проводимостью. Электроды выполнены на упомянутой свободной поверхности, разделены зазором и имеют сужающуюся к острию площадь, а чувствительный элемент представляет собой размещенный между электродами фрагмент слоя кремния, имеющего полупроводниковую проводимость, образованный путем удаления части кремния, имеющего металлическую проводимость. Техническим результатом является улучшение пространственного разрешения зонда при сохранении чувствительности и упрощении технологии изготовления.
Дата начала отчёта срока действия патента

Кантилевер с одноэлектронным транзистором для целей зондовой микроскопии

Тип
Изобретение
Идентификатор
RU2505823
Автор(ы)
Крупенин В.А., Преснов Д.Е., Амитонов С.В., Снигирев О.В., Трифонов А.С.
Реферат
Зонд для сканирующего зондового микроскопа включает размещенный на острие кантилевера зарядовый сенсор в виде одноэлектронного транзистора, выполненного в слое кремния, допированном примесью до состояния вырождения, структуры кремний-на-изоляторе (КНИ) на подложке. Транзистор имеет два подводящих электрода, размещенные под острым углом друг к другу в плоскости подложки, сходящиеся концы которых контактируют с проводящим островом транзистора и выполняют функции истока и стока, и средний электрод заостренной формы, размещенный в зоне схождения подводящих электродов, острие которого направлено в сторону проводящего острова с образованием емкостного зазора с последним, выполняющий функции затвора транзистора. Перемычки в зоне контакта концов подводящих электродов с островом транзистора выполнены резистивными с возможностью образования туннельного перехода, ребро подложки скошено, а остров транзистора, перемычки и примыкающие к скосу оконечные части подводящих и среднего электродов выступают за пределы слоя изолятора. Технический результат состоит в исключении паразитного шумового влияния подвижных зарядов, сосредоточенных в слое изолятора пластины КНИ, увеличение зарядовой чувствительности зондового устройства.
Дата начала отчёта срока действия патента

Quantum tomography benchmarking

Картинка
Boris. I. Bantysh — Quantum tomography benchmarking
Семинар Центра квантовых технологий
Докладчик(и)
Boris. I. Bantysh
Аффилиация
Valiev Institute of Physics and Technology of Russian Academy of Sciences
Дата и время проведения
Место проведения
Онлайн-видеоконференция
Аннотация

Recent advances in quantum computers and simulators are steadily leading us towards full-scale quantum computing devices. Due to the fact that debugging is necessary to create any computing device, quantum tomography (QT) is a critical milestone on this path. In practice, the choice between different QT methods faces the lack of comparison methodology. Modern research provides a wide range of QT methods, which differ in their application areas, as well as experimental and computational complexity. Testing such methods is also being made under different conditions, and various efficiency measures are being applied. Moreover, many methods have complex programming implementations; thus, comparison becomes extremely difficult. In this study, we have developed a general methodology for comparing quantum state tomography methods. The methodology is based on an estimate of the resources needed to achieve the required accuracy. We have developed a software library (in MATLAB and Python) that makes it easy to analyze any QT method implementation through a series of numerical experiments. The conditions for such a simulation are set by the number of tests corresponding to real physical experiments. As a validation of the proposed methodology and software, we analyzed and compared a set of QT methods. The analysis revealed some method-specific features and provided estimates of the relative efficiency of the methods.

Язык доклада
English
Файл презентации

Experimental demonstration of time-resolving quantum receivers and quantum measurement confidence estimation

Картинка
Ivan Burenkov — Experimental demonstration of time-resolving quantum receivers and quantum measurement confidence estimation
Семинар Центра квантовых технологий
Докладчик(и)
Ivan Burenkov
Аффилиация
Joint Quantum Institute, University of Maryland
Дата и время проведения
Место проведения
Онлайн-видеоконференция
Аннотация

In this talk I'll cover the first experimental demonstration of a holistic quantum-enabled communications scheme with the record energy efficiency using time-resolving quantum receivers. I'll also discuss single-shot confidences obtained for individual quantum measurements in the state identification problem.

Язык доклада
English
Файл презентации

Трансфер технологий: специфика квантовых технологий

Семинар Центра квантовых технологий
Докладчик(и)
А. В. Одиноков
Аффилиация
Директор Центра трансфера технологий МГУ имени М.В. Ломоносова, руководитель департамента по управлению интеллектуальной собственностью компании “Иннопрактика”
Дата и время проведения
Место проведения
Онлайн-видеоконференция
Язык доклада
Русский

Работа в сфере квантовых технологий. На какие вопросы нужно ответить самому себе, чтобы сделать правильный выбор между наукой и предпринимательством

Семинар Центра квантовых технологий
Докладчик(и)
Ю.Д. Плетнер
Аффилиация
Директор по развитию ЦНТИ "Фотоника"
Дата и время проведения
Место проведения
Большой конференц-зал ЦКП
Язык доклада
Русский